Ｌｏ-Ｄ　ＨＭＡ-９５００
ＤＣ　ＳＴＥＲＥＯ　ＰＯＷＥＲ　ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ　￥２３０，０００

１９７７年に，ローディー（日立）が発売したパワーアンプ。パワーＭＯＳ ＦＥＴを出力段に採用した世界初の画期的
なアンプで，その性能の高さ，音の良さが評価され，当時としてはかなりの高価格でありながら，数千台という予想
を超える販売数に達する人気モデルとなりました。

ＭＯＳ ＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ＝ＭＯＳ型電界効果トランジスター，ちな
みにＭＯＳは，Ｍｅｔａｌ（金属），Ｏｘｉｄｅ（半導体酸化物），Ｓｅｍｉｃｏｎｄａｕｃｔｏｒ（半導体）の３層構造になっていること
を表しています）は，従来高耐圧，大出力といったオーディオ用に使える素子ではなく，小出力のものしかなく，高
周波増幅用等に使われていました。現在でもＬＳＩの中の半導体では最も一般的な構造となっています。そして，
ちょうど当時，日立中央研究所で高耐圧のＭＯＳ ＦＥＴつまりパワーＭＯＳ ＦＥＴが開発されていました。これをさ
らに高出力に，そしてＰｃｈ，Ｎｃｈのペアとして開発に成功したのがＨＳ８４０１Ｃ，ＨＳ８４０２Ｃでした。



こうして開発された日立製パワーＭＯＳ ＦＥＴは多くのすぐれた特徴をもっていました。（１）従来の小信号ＭＯＳ
ＦＥＴと比較して３桁以上も高い増幅率（相互インダクタンス）をもち，また５極管特性をもっているので，広い電流
範囲で一定の増幅率を保ち，歪の少ないアンプが可能となる。（２）通常のバイポーラトランジスターに比べて１桁
以上も高周波特性がすぐれている。（＝周波数帯域が広い，１５０ＭＨｚにも達する。）（３）動作原理上スイッチン
グ速度が速く，従来のパワートランジスターに比べて，高周波歪，高周波消費電力が低減される。（４）原理的に
電流が集中しないという特性をもち，従来のパワートランジスターに比べて電気的な破壊に強く，アンプの保護回
路を簡略化することができる。（５）エンハンストメント特性（＝ゲート電圧を加えない状態ではオフとなり，ゲート電
圧を加えるとオンになる。）で，逆のデプレッション特性のＦＥＴにくらべてバイアス回路が簡単にでき，適度なバイ
アス電流を選ぶことで，通常の半導体素子で必要となる温度補償回路の省略が可能となる。（６）Ｐｃｈ，Ｎｃｈの特
性がよく揃っており，コンプリメンタリー回路で使用した際に歪の少ないプッシュプル回路が組める。

こうしたすぐれた特性を持ち，裸特性にすぐれたパワーＭＯＳ ＦＥＴを生かし，ＨＭＡ-９５００は，シンプルな回路構
成をとっていました。１段目は差動増幅器，２段目は，Ａ級アンプをそのままひっくり返した形（差動させた）の差動
増幅器となっており，この２段目の差動増幅器が保護回路を挟んでパワーＭＯＳ ＦＥＴピュアコンプリメンタリーパ
ラレルプッシュプル回路の電力増幅段をドライブするようになっていました。このように入力から出力までわずか３
段というきわめてシンプルな回路構成を実現していました。

ＮＦＢループ内からコンデンサーをなくし，入力のコンデンサーまでも除去したＤＣアンプ構成がとられ，シンプルな
回路構成とともに，音質劣化の原因となる部品を排除して正確な波形伝送を実現していました。また，このＤＣア
ンプ構成のために，初段にはペア特性が揃った低雑音デュアルＦＥＴと高耐圧低雑音トランジスターを組み合わせ
た差動増幅器を採用し，高い入力インピーダンスと低い中点ドリフト特性を得るとともに，高利得を実現していまし
た。

２段目の差動増幅器は，上述のようにパワーＭＯＳ ＦＥＴの電力増幅部をドライブする役割ももっていますが，パ
ワーＭＯＳ ＦＥＴは，裸特性，周波数特性がよいことに加え，駆動電力を必要としないため，ドライバーの役割をす
る差動増幅器には，小信号用のトランジスターが使え，高域周波数まで安定した負帰還がかけられるようになって
いました。これにより，５Ｈｚ～１００ｋＨｚの広帯域にわたって１００Ｗ＋１００Ｗの大出力，０．０１％以下という低歪
率を実現していました。

パワーＭＯＳ ＦＥＴは，大電流時の電流温度特性が負なので，半導体基板の一部分に電流が集中しようとしても
その部分の温度が上昇すると電流が減るという特性があります。したがって，通常のバイポーラトランジスターの
ような２次破壊の原因となる電流集中や熱暴走の危険がないとうすぐれた特徴がありました。そのうえに，ヒート
シンクに放熱効果の高い大型のアルミダイカスト製のものを左右独立で使用し，裸シャーシ構造をとっていました。

パワーＭＯＳ ＦＥＴの出力段を支える電源部は，強力なものが搭載されていました。左右独立に電源トランスを設
け，パワー増幅段の整流平滑回路はもとより，小信号用の安定化電源まで左右独立として，電源を介してのトラ
ンジェントクロストークを排除していました。また，平滑用コンデンサーには，高周波特性のよい大容量（１８，０００
μＦ×４）のケミカルコンデンサーを使用し，しっかりとした低域再生を可能としていました。
アンプ全体のコンストラクションも，左右チャンネル間のクロストークなどの影響さけるため，左右独立２電源だけ
でなく，左右対称セパレート配置の入出力端子，回路ブロックなど，モノラルアンプ指向で設計され，そのまま２分
割すればモノラルアンプとして使用できるほどの構造になっていました。

以上のように，ＨＭＡ-９５００は，世界初のパワーＭＯＳ ＦＥＴを搭載したオーディオアンプとして画期的な１台でし
た。親会社が総合電機メーカー日立であり，自社内の中央研究所の高い技術を生かせるローディーならではの
アンプでした。機能そのものが形になったその精悍なデザインも魅力的でした。外観から受ける無骨さとは異なり
繊細でスピード感のある音は，独自の魅力をもつものでした。１９７９年には，改良型のＭＫⅡが発売され，ともに
記憶に残る今でも愛される名機の１つとなったのではと思います。

以下に，当時のカタログの一部をご紹介します。

はやくも，「名器」の呼び声高く。
パワーＭＯＳ ＦＥＴ採用
左右独立２電源ＤＣパワーアンプ。

パワーＭＯＳ ＦＥＴ

◎パワーステージに新しい音の息吹を
◎楽器波形の正確な再現のためには
　可聴帯域を越えた広帯域が必要でした。
◎パワーＭＯＳ ＦＥＴの特長
　１．増幅率が高く直線性が良い
　２．周波数特性が良い
　３．スイッチング速度が速い
　４．電気的な破壊に強い
　　（安全動作領域が広い）
　５．使いやすいエンハンスメント特性
　６．コンプリメンタリー性が良い

回路構成

◎パワーＭＯＳ ＦＥＴをＡ級増幅段が
　ダイレクトにドライブするシンプルな回路
◎超広帯域（５Ｈｚ～１００ｋＨｚ）にわたり，
　大出力（１００Ｗ＋１００Ｗ），低ひずみ（０．０１％）
◎正確な波形伝送のＤＣアンプ構成
◎左右独立２電源方式の採用
◎広い安全動作領域
◎モノアンプ指向のシステム設計

●ＨＭＡ-９５００ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ●

※本ページに掲載したＨＭＡ-９５００の写真，仕様表等は１９７８年１１月のＬｏ-Ｄの
　カタログより抜粋したもので，日立家電販売株式会社に著作権があります。したがっ
　て，これらの写真等を無断で転載・引用等することは法律で禁じられていますので
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