ＳＯＮＹ　ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＪ
ＳＴＥＲＥＯ　ＰＲＥ-ＭＡＩＮ　ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ　￥１５０，０００

１９９２年に，ソニーが発売したプリメインアンプ。ソニーは，１９８６年に，ＴＡ-Ｆ３３３ＥＳＸを発売し，クラス最大
の物量を投入した設計が高い評価を得ました。そして，上級機としてＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＸも発売され，こちらも，当
時クラス最大の物量投入が行われていました。５５５の型番は，この後ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＸⅡ→ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＲ→
ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＧ→ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＬ→ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＡとモデルチェンジされ，ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＪへと続きました。

ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＪの出力段素子には，新開発のオーディオ専用・非磁性パワーＭＯＳ　ＦＥＴを採用していました。
パワーＭＯＳ　ＦＥＴ（メタルオキサイドセミコンダクター・フィールドエフェクトトランジスタ）は，もともと小信号のス
イッチング素子として開発されたＭＯＳ　ＦＥＴをもとに，すぐれた高周波特性，スイッチング速度をそのままに，
大電力増幅を可能にしたものでした。しかも，入力インピーダンスが高いため，ドライバー段の負担が少なく，比
較的シンプルな回路構成で高音質が得られることや，二乗特性の伝達関数を持つため，歪みが偶数次のもの
が主体で音質への悪影響が少ないこと，ゲートが絶縁された電圧制御素子であるため，ドライバー段と出力段
を電気的に分離でき，互いの干渉をなくせることなど，多くのすぐれた特徴を持っていました。



出力段は，チャンネルあたりパラレルプッシュプルで２ペア，計８個のパワーＭＯＳ　ＦＥＴを使用したもので，６Ω
負荷で１４０Ｗ＋１４０Ｗの出力を実現していました。さらに，電圧増幅段（Ａクラス段），およびドライバー段にも
ＭＯＳ　ＦＥＴを採用し，５５５シリーズでは初めて，入力から出力までのオールＦＥＴアンプ構成としていました。
さらに，出力段には，「Ｓ.Ｌ.Ｌ.（スーパーレガートリニア）方式」が採用されていました。これは，スイッチング歪や
やクロスオーバー歪を防ぐために，通常用いられる可変バイアスや電源電圧値の変動などの手法を用いずに
固定バイアス方式をとりながら，高速出力素子であるパワーＭＯＳ　ＦＥＴを極小カットオフ領域で働かせるもの
で，実効出力時ばかりではなく，実使用再生レベルでの低歪化を実現していました。
フォノ入力に対しては，高性能ローノイズＦＥＴを採用したフォノイコライザーが搭載され，全体として，フォノイコ
ライザーアンプとパワーアンプからなるシンプルな２アンプ構成となっていました。



ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＪは，ソニー自慢の「Ｇシャーシ」と呼ぶ頑丈なベースシャーシが採用されていました。「Ｇシャー
シ」は，「アコースティカル・チューンド・Ｇ（ジブラルタル）・シャーシ」の略称で，スペインの最南端の小半島で自
然の要塞と呼ばれる「ジブラルタルの岩」にちなんで，堅く重い岩のようなシャーシということで名付けられた名
称で，ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＸ以来継承されてきたものでした。Ｇシャーシは，大理石の主成分である炭酸カルシウム
を不飽和ポリエステルに加え，グラスファイバー（ガラス繊維）で強化したもので，高い強度を有しながらも，金
属に比べて内部損失が大きく，すぐれた振動減衰特性をもっていました。また，Ｇシャーシは非磁性・非金属
であることから，電源トランスやコンデンサーなどから誘発される電磁歪，渦電流の発生がないというメリット
ももっていました。さらに，ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＪでは，天板にもＧシャーシと同じ素材によるＧルーフを採用し，アン
プ本体の剛性をより高めていました。
各パーツのＧシャーシへの実装についても，オーディオ回路基板，電源トランスを直付けにして固定し，フロン
トパネル，端子パネル，ケースは，Ｇシャーシの上に連結アングルを入れて固定するなど，より強固に剛体化
されていました。ヒートシンクには，厚さ２０mmのアルミ押し出し材を採用し，クラスを上回る放熱容量を実現
するとともに，出力段素子の鳴きを抑える高い強度を確保していました。

電源部は，Ｓ.Ｔ.Ｄ（Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｔｗｉｎ Ｄｒｉｖｅ）電源と名付けられた強力な電源部を搭載していました。これ
は，Ａクラス段とＢクラス段に独立して整流回路を設け，独立して電源供給を行うことでＡクラス段へのＢクラス
段の干渉を防ぎ，安定した動作と音の透明度をねらったものでした。また，電源トランスには，内部のコア材
や充填材に至るまでヒアリング繰り返して選定した，シールドケース入りの大容量電源トランスを採用し，コン
デンサーには，オーディオ用アルミ電解コンデンサーを採用していました。そして，コンデンサーは，Ａクラス段
とＢクラス段のコンデンサーは分離配置され，さらに，Ｂクラス段のコンデンサーは振動・共振の発生を防ぐた
め，バイブレーションプラットホームに国定されていました。このほか，電源回路及びオーディオ回路には，
モールディング電解コンデンサー，銅クラッド電解コンデンサーなど，吟味されたパーツを要所に投入していま
した。また，ＡＣラインからのノイズ混入を防ぐＥＳフィルターも搭載されていました。



内部レイアウトにおいては，シンプル＆ストレート伝送を追求していました。余裕をもたせた大容量シャーシ
に，入力端子からスピーカー端子まで，信号の流れに沿って回路基板，電源トランスなどを合理的にレイア
ウトし，回路構成，内部レイアウトをシンプル化することで，スムーズなオーディオ信号の流れを実現してい
ました。

ボリュームには，低歪の印刷抵抗，非磁性・金メッキ処理の摺動子ブラシを採用した新開発の高音質ボ
リュームが採用されていました。回路基板には，銅箔７０μｍ厚のＯＦＣ回路基板が採用され，背面の端子
には真鍮削り出し金メッキピンジャック端子や金メッキスピーカー端子が搭載されていました。



機能的には，プリメインアンプとして標準的ながら，十分な機能を実現したものでした。通常使用する，電源
スイッチ，ボリューム，インプットセレクター等を除く，ＢＡＳＳ，ＴＲＥＢＬＥ独立のトーンコントロール，サブソ
ニックフィルター，ＭＯＤＥスイッチ，レックアウトセレクター，スピーカー切替，バランス，カートリッジロードな
どのスイッチ，ツマミ類は，下部のシーリングポケット内に収納されたデザインが採用され，機能の割にシン
プルなフロントパネルが実現されていました。さらに，通常の音量調整やインプットセレクターなどが操作で
きるリモコンも装備されていました。
ＣＤなどのハイレベル入力に対応して，トーンコントロール，サブソニックフィルター，バランス，モードスイッチ
などの回路をジャンプして，より鮮度の高い音質が期待できる，ソースダイレクトスイッチや，さらにインプット
セレクターをも経由せず，最小限の経路で接続できるダイレクトイン端子，サラウンドプロセッサー等の機器
を接続できるアダプター入出力端子もリアパネルに装備されていました。

以上のように，ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＪは，ソニーの当時のプリメインアンプの最上級機として，各部にしっかりと物
量と技術を投入したしっかりとした作りのアンプでした。ＭＯＳ　ＦＥＴを全面的に採用し，高域に向かっての
華やかさと厚みもしっかりある音が実現されていました。


ＳＯＮＹ　ＴＡ-Ｆ３３３ＥＳＪ
ＳＴＥＲＥＯ　ＲＲＥ-ＭＡＩＮ　ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ　￥９０，０００

ＴＡ-Ｆ５５５ＥＪには，弟機としてＴＡ-Ｆ３３３ＥＳＪがありました。外観もＧルーフの分パネルの高さが少し
低い以外，ほぼ同一で，回路構成等もほぼ継承された内容を持っていました。
ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＪと比べ，出力がやや小さくなり，ＯＦＣ回路基板，Ｇルーフ，真鍮削り出し金メッキジャック
金メッキスピーカー端子等が省略されていました。しかし，音の傾向はほぼ同じで，コストパフォーマンス
が大きく高められていました。

以下に，当時のカタログの一部をご紹介します。

Ｓｏｎｙ　ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ
回路，機構，デバイスの３要素を突きつめる中から生まれるＥＳアンプ。
オールＦＥＴアンプ構成の採用など，音質をさらにブラッシュアップしました。

ＴＡ-Ｆ５５５ＥＳＪ

オールＦＥＴアンプ構成，
非磁性パワーＭＯＳ　ＦＥＴ出力段採用。
細部にわたって音質を磨きあげた
リファレンスＥＳアンプ。

ＴＡ-Ｆ３３３ＥＳＪ

透明度の高い，みずみずしい音。
オールＦＥＴアンプ構成，
非磁性パワーＭＯＳ　ＦＥＴ出力段採用の
スタンダードＥＳアンプ。

↓

k-nisi@niji.or.jp